盈亚研究:国家加快半导体国产化进程,产业持续受益 | |
权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,举全国之力,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主,不再受制于人。 半导体材料经历了三次明显的换代和发展。第一代半导体材料是Si、Ge等单质半导体材料,由于其具有出色的性能和成本优势,目前仍然是集成电路等半导体器件主要使用的材料;第二代半导体材料以GaAs和InP等材料为代表。第二代半导体材料在物理结构上具有直接带隙的特点,相对于Si材料具有光电性能佳、工作频率高、抗高温、抗辐射等优势,可以应用于光电器件和射频器件。第三代半导体材料则是以GaN和SiC等材料为代表,和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求。因此,第三代半导体材料在航空、航天、光存储等领域有着重要应用前景,在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小75%以上,是半导体产业进一步跃进的基石。 “摩尔定律”在过去的几十年中是集成电路性能增长的黄金定律。其核心内容是,价格维持不变时,集成电路上可容纳的元件数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。根据ITRS的观点,传统的硅晶体管微缩至6纳米已达极限。以硅材料为根基的摩尔定律即将失效。若半导体仍以摩尔定律趋势发展,则需要在底层材料中形成突破。同时,随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视。 2018年,美国、欧盟等国家和组织启动了超过15个研发项目。其中,美国的研发支持力度最大。2018年,美国能源部(DOE)、国防先期研究计划局(DARPA)、和国家航空航天局 (NASA)和电力美国(PowerAmerica)等机构纷纷制定第三代半导体相关的研究项目,支持总资金超过4亿美元,涉及光电子、射频和电力电子等方向,以期保持美国在第三代半导体领域全球领先的地位。此外,欧盟先后启动了“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台(SERENA)”项目和“5GGaN2”项目,以抢占5G发展先机。 我国在半导体核心领域长期受制于人。根据中国海关数据统计,2019年我国芯片的进口金额为3040亿美元,同比下降2.6%,但芯片自给率2019年仅为30%左右。中美贸易战敲响我国自主可控的警钟,中美在高科技领域的博弈也将成为常态化,我国提高半导体产业自给率已经是刻不容缓。先进半导体材料已上升至国家战略层面,在2025中国制造中,分别对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块、电力电子器件/模块、射频器件/模块等细分领域做出了目标规划,其中提及到2025年实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%;在新能源汽车、消费电子中实现规模应用,在通用照明市场渗透率达到80%。 近几年,国家也出台不少扶持半导体产业发展的政策,其中国家集成电路产业投资基金一期已经基本投资完毕,根据统计,集成电路制造投资占比67%,设计占比17%,封测占比10%,装备材料类占比6%。制造是一期投资的重点。2019年10月,国家集成电路产业基金二期成立,注册资本超2000亿,预计设备和材料端有望成为投资重点。 伴随我国加快半导体产业的国产化进程,个股方面可关注如下几个。 露笑科技(002617):公司致力打造碳化硅“设备-衬底-外延”的完整产业链,在碳化硅长晶炉方面,公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务,依托于历史的蓝宝石业务积累,公司战略转型布局碳化硅业务;公司和中科钢研、国宏中宇签订约3亿元的碳化硅长晶炉销售合同;此外,公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园。 | |
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